Crucial presenta su nuevo SSD para el mercado Latinoamericano

Crucial presenta su nuevo SSD para el mercado Latinoamericano

El día de hoy, Crucial ha anunciado su nueva unidad SSD Crucial P1, un dispositivo de almacenamiento para PC que aprovecha la interfaz de NVMe PCle y la tecnología de Micron QLC, para de esta forma brindar una capacidad de respuesta más rápida.

Entre las velocidades de escritura y lectura que contará el SSD Crucial P1, sus velocidades son de hasta 2.000 mb/s de escritura y 1.700 mb/s de lectura. Adicionalmente el P1, cuenta con un sistema de aceleración híbrida-dinámica, una implementación única, que permite brindar un caché SLC.

También la unidad ofrece un MTTF (vida útil) de 1.8 millones de horas y un rendimiento de hasta 200TB bytes de escritura total, con un consumo de energía que en promedio alcanza los 100mW. Esta unidad podrá ser encontrada en el mercado en su versión única de 1TB de almacenamiento, y respaldada con una garantía limitada de cinco años.

Adicionalmente, y en base a este lanzamiento, Teresa Kelley, vicepresidenta y Gerente General de Micron Consumer Products Group, comentó lo siguiente:

Hemos estado fabricando unidades de SSD durante más de 10 años y hemos visto cómo han cambiado drásticamente los hábitos informáticos durante este tiempo. “Nunca fue tan importante tener una buena capacidad de velocidad y almacenamiento como lo es hoy día. Por este motivo hemos prestado atención especial a las tareas informáticas reales de nuestros clientes y hemos diseñado la SSD Crucial P1 para proporcionar todo el desempeño, capacidad y funciones que necesitan a un precio accesible.

Entre otras funciones avanzadas que cuenta la unidad, tenemos:

  • Protección de pérdida de datos a través del algoritmo de integridad de datos multietapa
  • Protección contra el sobrecalentamiento mediante herramientas adaptables de monitoreo térmico
  • Escrituras más rápidas mediante la tecnología de aceleración de escritura híbrida-dinámica
  • Protección de datos a nivel componente mediante la matriz redundante de NAND independiente