Samsung es uno de los desarrolladores, productores y vendedores tanto de dispositivos electrónicos como de tecnología por lo que siempre intenta ser la compañía lider en estos rubros. Con sus grandes avances en el crecimiento de sus chips de memoria, este titán del mundo empresarial lanzará lo que llaman “la primera solución de almacenamiento integrado de 512 GB“.
Para lograr esto, Samsung indica que sus especificaciones siguen eUFS y se producirá con el proceso de V-NAND de 64 capas. Cada una de las “soluciones” de 512GB constará de 8 chips de memoria y un chip central/controlador, los cuales estarán uno encima del otro para así poder aprovechar el espacio físico interno del dispositivo móvil. De esta forma, Samsung afirma que lograrán duplicar su mayor capacidad de almacenamiento hasta ahora, el cual es de 256 GB en un formato de 48 capas.
Además de esto, Samsung a proporcionado algunos datos de rendimiento de su nueva “solución” en donde se demuestran velocidades de lectura y escritura de 860 y 255 MB/s respectivamente. Las tasas para operaciones aleatorias son de 42.000 y 40.000 IOPS en lectura y escritura. También la empresa afirma que los chips contarán con mejoras específicas para mejorar la efeciencia energética.
Esta agrupación de chips serán implementados en las líneas de alta gama de sus smartphones, teniendo como uno de sus objetivos eliminar la necesidad del uso de lectores microSD así como las tarjetas correspondientes, las cuales poco a poco van siendo menos útiles y populares.
Dentro de toda la información propiciada por Samsung no se comunicó la fecha de lanzamiento/implementación oficial de esta solución de almacenamiento masiva, pero no es de serprenderse que se incluya en su próxima versión de Samsung Galaxy S o Galaxy Note.
¿Qué opinas de la propuesta realizada por Samsung? ¿Crees que será un sistema de almacenamiento eficiente? ¿Cuántos memes le meterías a tu galería con esa capacidad de almacenamiento? ¡Déjanos tu opinión en los comentarios!
